Al comprar memoria, buscar chips o hacer overclocking, a menudo aparece la misma pregunta: qué chip lleva exactamente este módulo de memoria y qué versión (DIE) es.
Este artículo organiza los métodos de identificación habituales en un flujo práctico, centrado en Samsung, Micron/Spectek y SK hynix.
Chips Samsung
Regla de nomenclatura

Contenido identificado en 2.png (campos de nomenclatura Samsung DDR4):
1. SAMSUNG Memory: K2. DRAM: 43. DRAM Type: A = DDR4 SDRAM (1.2V VDD)4. Density: 4G=4Gb, 8G=8Gb, AG=16Gb, BG=32Gb5. Bit Organization: 04=x4, 08=x8, 16=x166. # of Internal Banks: 5 = 16 Banks7. Interface (VDD, VDDQ): W = POD (1.2V, 1.2V)8. Revision: M/A/B/C/D/E/F/G = 1st~8th Gen9. Package Type:B = FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)M = FBGA (Halogen-free & Lead-free, DDP)2 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 2H TSV)3 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 2H 3DS)4 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 4H TSV)5 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 4H 3DS)
10. Temp & Power:C = Commercial Temp (0°C ~ 85°C) & Normal PowerI = Industrial Temp (-40°C ~ 95°C) & Normal Power
11. Speed:PB = DDR4-2133 (1066MHz @ CL=15, tRCD=15, tRP=15)RC = DDR4-2400 (1200MHz @ CL=17, tRCD=17, tRP=17)TD = DDR4-2666 (1333MHz @ CL=19, tRCD=19, tRP=19)RB = DDR4-2133 (1066MHz @ CL=17, tRCD=15, tRP=15)TC = DDR4-2400 (1200MHz @ CL=19, tRCD=17, tRP=17)WD = DDR4-2666 (1333MHz @ CL=22, tRCD=19, tRP=19)VF = DDR4-2933 (1466MHz @ CL=21, tRCD=21, tRP=21)WE = DDR4-3200 (1600MHz @ CL=22, tRCD=22, tRP=22)YF = DDR4-2933 (1466MHz @ CL=24, tRCD=21, tRP=21)AE = DDR4-3200 (1600MHz @ CL=26, tRCD=22, tRP=22)
Ejemplo

- Primera línea: en “SEC 843”, la información importante es
843, que representa la fecha de producción del chip de memoria. - Segunda línea: en “K4A4G08”, la información importante es
4G08, que representa la capacidad y el ancho de bit del chip de memoria (AGrepresenta una capacidad de 16Gb). - Tercera línea: en “5WT BCTD”, la información importante es
TyTD.Trepresenta la versión del chip; en este caso es T-DIE.TDrepresenta frecuencia y timings:TDes 2666 C19,RCes 2400 C17 yPBes 2133 C15. - Cuarta línea: marca de esquina, desconocida.
Por experiencia, los DIE de Samsung que se ven con frecuencia incluyen A/B/C/D/E/F/M/S/T, entre otros, pero distintas generaciones y capacidades no cubren exactamente las mismas letras. En la práctica, se recomienda confirmar mediante “marca completa + tabla de referencia”, no mirando solo una letra.
Chips Micron
1) Mirar primero la serigrafía


-
Primera línea: “7UE75” Date code:
7Urepresenta el momento de producción del chip.7representa el año 2017.Urepresenta la semana 42 (en realidadUocupa la posición 21 entre las 26 letras inglesas, y21*2=42). Die revision:Erepresenta que la versión del chip es E-DIE. Country of diffusion:7representa el lugar de producción del chip;7es Taiwán. Country of encapsulation:5representa el lugar de encapsulado;5es China continental. -
Segunda línea: “D9VPP”, el FBGA (Coded part number) de Micron. Para obtener más información del chip hay que decodificarlo con el sistema de consulta de Micron.
2) Consulta oficial de información FBGA

Usa la siguiente URL para consultar el part number mediante el código FBGA:
3) Regla de nomenclatura del part number

-
Ejemplo: Código FBGA:
D9VPPpart number:MT40A1G8SA-075:E40representa DDR4.Arepresenta el voltaje.1G8representa capacidad y ancho de bit del chip.1G8es 8Gb 8bit.512M16es 8Gb 16bit.075representa frecuencia y timings.075es 2666 C19.083es 2400 C17.093Ees 2133 C15.Erepresenta la versión del chip E-DIE.
Spectek (gran S, sistema de chips blancos de Micron)

- Numeración:
PS029-093 TP PS029es parecido al código FBGA de Micron y también puede consultarse en el sitio oficial para obtener información.- Dirección de consulta:

- Dirección del documento original: http://am.adianshi.com:6805/%E5%BC%80%E5%8D%A1%E8%BD%AF%E4%BB%B6/%E6%96%87%E6%A1%A3/spectek_flash.pdf
Chips SK hynix
Regla de nomenclatura

-
1. SK hynix MEMORY -
2. PRODUCT FAMILY: 5 = DRAM -
3. PRODUCT MODE: A = DDR4 SDRAM -
4. POWER SUPPLY: N = VDD & VDDQ = 1.2V -
5-6. DENSITY & REFRESH:1G=1Gb,2G=2Gb,4G=4Gb,8G=8Gb,AG=16Gb,BG=32Gb
-
7. ORGANIZATION: 4=x4, 8=x8, 6=x16 -
8. DIE TYPE: N=Non-TSV, T=TSV -
9. DIE GENERATION: M/A/B/C/D/E/F/G = 1st~8th -
10. PACKAGE TYPE: F=FBGA SDP, J=Flipchip SDP, M=FBGA DDP, P=Flipchip Planar DDP, 2=TSV 2 high stack, 4=TSV 4 high stack -
11. PACKAGE MATERIAL: R = Lead Free & Halogen Free (ROHS compliant) -
12-13. SPEED (tCL-tRCD-tRP):TF=DDR4-2133 15-15-15,UH=DDR4-2400 17-17-17,UL=DDR4-2400 20-18-18,VK=DDR4-2666 19-19-19,VN=DDR4-2666 22-19-19,WM=DDR4-2933 21-21-21,XN=DDR4-3200 22-22-22
-
14. OPERATING TEMPERATURE & POWER CONSUMPTION:C = Commercial Temp (0°C ~ 85°C) & Normal PowerR = Commercial Temp (0°C ~ 85°C) & Reduced IDD6
Ejemplo

- Numeración de la segunda línea:
- En “H5AN8G8NCJR”, la información importante es
8G8, que representa capacidad de 8Gb y ancho de bit de 8bit;Crepresenta la versión del chip C-DIE.
- En “H5AN8G8NCJR”, la información importante es
- Numeración de la tercera línea:
- En “VKC 829A”, la información importante es
VK, que representa frecuencia y timings.829representa la fecha de producción.
- En “VKC 829A”, la información importante es
Referencias y notas
- Este artículo sirve para divulgación técnica y diagnóstico de compra; no constituye una promesa de compra.
- Distintos lotes pueden cambiar de chips; la conclusión final depende del producto físico.
- Fuente de referencia (organizada): https://www.bilibili.com/read/cv2519652/?opus_fallback=1
- Consultas oficiales: