メモリ粒子識別ガイド: Samsung、Micron、Hynix の番号の見方

メモリを購入したり、チップを探したり、オーバークロックを実行したりするときに、「このメモリにはどのようなチップとバージョン (DIE) が搭載されていますか?」という質問がよくあります。

この記事では、Samsung、Micron/Spectek、SK hynix に焦点を当てて、一般的な判断方法を一連の運用プロセスにまとめます。

サムスン粒子

命名規則

三星命名

2.png 識別内容 (Samsung DDR4 名前付きフィールド):

1. SAMSUNG Memory: K
2. DRAM: 4
3. DRAM Type: A = DDR4 SDRAM (1.2V VDD)
4. Density: 4G=4Gb, 8G=8Gb, AG=16Gb, BG=32Gb
5. Bit Organization: 04=x4, 08=x8, 16=x16
6. # of Internal Banks: 5 = 16 Banks
7. Interface (VDD, VDDQ): W = POD (1.2V, 1.2V)
8. Revision: M/A/B/C/D/E/F/G = 1st~8th Gen
9. Package Type:
- B = FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- M = FBGA (Halogen-free & Lead-free, DDP)
- 2 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 2H TSV)
- 3 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 2H 3DS)
- 4 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 4H TSV)
- 5 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 4H 3DS)
10. Temp & Power:
- C = Commercial Temp (0°C ~ 85°C) & Normal Power
- I = Industrial Temp (-40°C ~ 95°C) & Normal Power
11. Speed:
- PB = DDR4-2133 (1066MHz @ CL=15, tRCD=15, tRP=15)
- RC = DDR4-2400 (1200MHz @ CL=17, tRCD=17, tRP=17)
- TD = DDR4-2666 (1333MHz @ CL=19, tRCD=19, tRP=19)
- RB = DDR4-2133 (1066MHz @ CL=17, tRCD=15, tRP=15)
- TC = DDR4-2400 (1200MHz @ CL=19, tRCD=17, tRP=17)
- WD = DDR4-2666 (1333MHz @ CL=22, tRCD=19, tRP=19)
- VF = DDR4-2933 (1466MHz @ CL=21, tRCD=21, tRP=21)
- WE = DDR4-3200 (1600MHz @ CL=22, tRCD=22, tRP=22)
- YF = DDR4-2933 (1466MHz @ CL=24, tRCD=21, tRP=21)
- AE = DDR4-3200 (1600MHz @ CL=26, tRCD=22, tRP=22)

例

最初の行: 「SEC 843」重要な情報は、843 がメモリ粒子の製造日を表します。
2 行目:「K4A4G08」重要な情報は、4G08 がメモリ粒子の容量とビット幅を表すことです (AG は 16Gb の容量を表します)。
3 行目:「5WT BCTD」の重要な情報は、T、TD、T は詳細なバージョンを表します。 T-DIEです。 TD はメモリの周波数とタイミングを表し、TD は 2666 C19、RC は 2400 C17、PB は 2133 C15 です。
4行目：コーナーマーク不明

経験的に一般的に見られる Samsung DIE には A/B/C/D/E/F/M/S/T などが含まれますが、異なる容量の世代間のカバレッジは完全に一貫しているわけではありません。実際に判断する際には、文字単体だけで判断するのではなく、「完全採点＋対照表」と合わせて確認することをおすすめします。

ミクロン粒子

1) まずはシルクスクリーンを見てください

丝印分布

1行目：「7UE75」日付コード:7U はペレット生産イベントを表します 7は17年を表します U は 42 週を表します (実際には、U は 26 個の英語文字で 21 桁、21*2=42)、ダイリビジョン: E はパーティクルバージョンを E-DIE として表します。拡散国：7は粒子の生産地7（台湾）を表す
カプセル化の国: 5 は粒子 5 のカプセル化の場所を表します (中国本土)
2 行目:「D9VPP」Micron の FBGA (コード化された部品番号) より多くの粒子情報を Micron クエリシステムを通じてデコードする必要がある

2) 公式FBGA情報クエリ

FBGA查询

fbga コードを使用して、次の URL から部品番号をクエリします。

https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga

3) 品番命名規則

命名规则

例： FBGAコード: D9VPP part number: MT40A1G8SA-075:E

40 は DDR4 を表し、 A は電圧、 1G8 はパーティクルの容量とビット幅を表します 1G8は8Gb 8ビット、 512M16 は 8Gb 16 ビット、 075は周波数とタイミングを表します 075は2666C19、 083は2400C17、 093Eは2133 C15、 E粒子版E-DIE

Spectek (Big S) (ミクロン白色フィルムシステム)

Spectek

番号：PS029-093 TP
コード PS029 は Micron FBGA コードに似ています。公式ウェブサイトでも情報を確認できます。
お問い合わせ先：
- https://www.spectek.com/menus/mark_code.aspx

Spectek

元の文書アドレス http://am.adianshi.com:6805/%E5%BC%80%E5%8D%A1%E8%BD%AF%E4%BB%B6/%E6%96%87%E6%A1%A3/spectek_flash.pdf

ハイニックス顆粒

命名規則

海力士

1. SK hynix MEMORY
2. PRODUCT FAMILY: 5 = DRAM
3. PRODUCT MODE: A = DDR4 SDRAM
4. POWER SUPPLY: N = VDD & VDDQ = 1.2V
5-6. DENSITY & REFRESH:
- 1G=1Gb,
- 2G=2Gb,
- 4G=4Gb,
- 8G=8Gb,
- AG=16Gb,
- BG=32Gb
7. ORGANIZATION: 4=x4, 8=x8, 6=x16
8. DIE TYPE: N=Non-TSV, T=TSV
9. DIE GENERATION: M/A/B/C/D/E/F/G = 1st~8th
10. PACKAGE TYPE: F=FBGA SDP, J=Flipchip SDP, M=FBGA DDP, P=Flipchip Planar DDP, 2=TSV 2 high stack, 4=TSV 4 high stack
11. PACKAGE MATERIAL: R = Lead Free & Halogen Free (ROHS compliant)
12-13. SPEED (tCL-tRCD-tRP):
- TF=DDR4-2133 15-15-15,
- UH=DDR4-2400 17-17-17,
- UL=DDR4-2400 20-18-18,
- VK=DDR4-2666 19-19-19,
- VN=DDR4-2666 22-19-19,
- WM=DDR4-2933 21-21-21,
- XN=DDR4-3200 22-22-22
14. OPERATING TEMPERATURE & POWER CONSUMPTION:
- C = Commercial Temp (0°C ~ 85°C) & Normal Power
- R = Commercial Temp (0°C ~ 85°C) & Reduced IDD6

例

海力士

2 番目の行番号:
- 「H5AN8G8NCJR」重要な情報 8G8 はパーティクル容量 8Gb、ビット幅 8bit を表し、C はパーティクルのバージョン C-DIE を表します。
3行目の行番号: -「VKC 829A」重要な情報 VK は周波数とタイミングの略です。 829は製造日を表します。

参考資料と説明書

この記事は技術的な知識と購入のレビューを目的としたものであり、購入を約束するものではありません。
異なるバッチでは重大な変更が発生する可能性があり、結論は実際の製品に基づくものとします。
参照元（整理）：https://www.bilibili.com/read/cv2519652/?opus_fallback=1
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