Circuito de conmutación automática de doble potencia (caída casi nula)

Una ventaja clave de este diseño es una caída de conducción muy baja, lo que lo hace adecuado para aplicaciones alimentadas por baterías y de rutas de energía de baja pérdida.

Este circuito utiliza un comportamiento de conmutación MOSFET y características bajas de “Rds(on)” para lograr la selección automática de fuente.

Circuito y comportamiento funcional

• Cuando Vin1 = 3.3V y Vin2 están ausentes, Vin1 suministra Vout a través de la ruta MOSFET.
• Cuando se elimina Vin1, el circuito cambia automáticamente para que Vin2 suministre Vout.
• Debido a que los MOSFET seleccionados tienen un “Rds(on)” bajo, la caída de voltaje suele ser de sólo decenas de milivoltios.
• Con una única fuente activa, la corriente en reposo se sitúa en torno al rango de microamperios, lo que es adecuado para sistemas de baja potencia.

Principio de funcionamiento

1. Con Vin1 = 3.3V, NMOS Q1 se enciende, generando condiciones de puerta tales que PMOS Q3 conduce y PMOS Q2 está apagado. La salida se suministra desde Vin1.
2. Cuando se elimina “Vin1”, “Q1” se apaga. La red de polarización activa “Q2” y desactiva “Q3”, por lo que la salida se suministra desde “Vin2”.

Para un diseño práctico, elija MOSFET con:

• bajo voltaje de umbral de puerta
• Rds(on) muy bajo en el voltaje de accionamiento de la puerta objetivo

Notas de dispositivo de ejemplo del diseño original:

• Q2 = Q3 = PMN50XP (Rds(on) bajo alrededor de 3,3 V de accionamiento de puerta)
• Q1 puede usar 2N7002

La selección final debe basarse en la corriente, el voltaje y el presupuesto térmico requeridos.