内存颗粒识别指南：三星、美光、海力士编号怎么读

Mon, 06 Apr 2026 17:06:21 +0800

买内存、淘颗粒、做超频时，大家经常会问一个问题：这条内存到底是什么颗粒、什么版本（DIE）？

这篇文章把常见判断方法整理成一套可操作流程，重点覆盖三星（Samsung）、美光（Micron/Spectek）和海力士（SK hynix）。

三星颗粒

2.png 识别内容（三星 DDR4 命名字段）：

1. SAMSUNG Memory: K
2. DRAM: 4
3. DRAM Type: A = DDR4 SDRAM (1.2V VDD)
4. Density: 4G=4Gb, 8G=8Gb, AG=16Gb, BG=32Gb
5. Bit Organization: 04=x4, 08=x8, 16=x16
6. # of Internal Banks: 5 = 16 Banks
7. Interface (VDD, VDDQ): W = POD (1.2V, 1.2V)
8. Revision: M/A/B/C/D/E/F/G = 1st~8th Gen
9. Package Type:
- B = FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- M = FBGA (Halogen-free & Lead-free, DDP)
- 2 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 2H TSV)
- 3 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 2H 3DS)
- 4 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 4H TSV)
- 5 = FBGA (Halogen-free & Lead-free, 4H 3DS)
10. Temp & Power:
- C = Commercial Temp (0°C ~ 85°C) & Normal Power
- I = Industrial Temp (-40°C ~ 95°C) & Normal Power
11. Speed:
- PB = DDR4-2133 (1066MHz @ CL=15, tRCD=15, tRP=15)
- RC = DDR4-2400 (1200MHz @ CL=17, tRCD=17, tRP=17)
- TD = DDR4-2666 (1333MHz @ CL=19, tRCD=19, tRP=19)
- RB = DDR4-2133 (1066MHz @ CL=17, tRCD=15, tRP=15)
- TC = DDR4-2400 (1200MHz @ CL=19, tRCD=17, tRP=17)
- WD = DDR4-2666 (1333MHz @ CL=22, tRCD=19, tRP=19)
- VF = DDR4-2933 (1466MHz @ CL=21, tRCD=21, tRP=21)
- WE = DDR4-3200 (1600MHz @ CL=22, tRCD=22, tRP=22)
- YF = DDR4-2933 (1466MHz @ CL=24, tRCD=21, tRP=21)
- AE = DDR4-3200 (1600MHz @ CL=26, tRCD=22, tRP=22)

第一行：“SEC 843”重要信息为843代表内存颗粒生产日期
第二行：“K4A4G08”重要信息为4G08代表内存颗粒容量和位宽(AG代表容量为16Gb)
第三行：“5WT BCTD”重要信息为T、TD，T代表颗粒版本我这个就是T-DIE。TD代表内存频率和时序，TD为 2666 C19、RC为2400 C17、PB为2133 C15.
第四行：角标未知

经验上常见到的三星 DIE 包括 A/B/C/D/E/F/M/S/T 等，但不同容量代际覆盖并不完全一致。实际判断时，建议以“完整打标 + 对照表”联合确认，不要只看单个字母。

第一行：“7UE75” Date code:7U 代表颗粒生产事件 7代表17年 U代表42周（实际是U在26个英文字母是21位21*2=42）， Die revision: E代表颗粒版本为E-DIE， Country of diffusion: 7代表颗粒生产地 7(台湾)
Country of encapsulation: 5代表颗粒封装地 5(中国大陆)
第二行：“D9VPP”美光的FBGA（Coded part number）更多的颗粒信息需通过美光查询系统来解码

通过下面的网址使用fbga code查询 part number

实例： FBGA码：D9VPP part number: MT40A1G8SA-075:E

40代表为DDR4， A为电压， 1G8代表颗粒容量和位宽 1G8是8Gb 8bit、 512M16是8Gb 16bit， 075代表频率和时序 075为2666 C19、 083为2400 C17、 093E为2133 C15， E颗粒版本E-DIE

原文档地址http://am.adianshi.com:6805/%E5%BC%80%E5%8D%A1%E8%BD%AF%E4%BB%B6/%E6%96%87%E6%A1%A3/spectek_flash.pdf

1. SK hynix MEMORY
2. PRODUCT FAMILY: 5 = DRAM
3. PRODUCT MODE: A = DDR4 SDRAM
4. POWER SUPPLY: N = VDD & VDDQ = 1.2V
5-6. DENSITY & REFRESH:
- 1G=1Gb,
- 2G=2Gb,
- 4G=4Gb,
- 8G=8Gb,
- AG=16Gb,
- BG=32Gb
7. ORGANIZATION: 4=x4, 8=x8, 6=x16
8. DIE TYPE: N=Non-TSV, T=TSV
9. DIE GENERATION: M/A/B/C/D/E/F/G = 1st~8th
10. PACKAGE TYPE: F=FBGA SDP, J=Flipchip SDP, M=FBGA DDP, P=Flipchip Planar DDP, 2=TSV 2 high stack, 4=TSV 4 high stack
11. PACKAGE MATERIAL: R = Lead Free & Halogen Free (ROHS compliant)
12-13. SPEED (tCL-tRCD-tRP):
- TF=DDR4-2133 15-15-15,
- UH=DDR4-2400 17-17-17,
- UL=DDR4-2400 20-18-18,
- VK=DDR4-2666 19-19-19,
- VN=DDR4-2666 22-19-19,
- WM=DDR4-2933 21-21-21,
- XN=DDR4-3200 22-22-22
14. OPERATING TEMPERATURE & POWER CONSUMPTION:
- C = Commercial Temp (0°C ~ 85°C) & Normal Power
- R = Commercial Temp (0°C ~ 85°C) & Reduced IDD6